9月8日消息，EUV光刻机是制造5nm以下工艺的关键设备，同样重要的还有EUV光刻胶，现在无锡宣布国内首个掌握EUV光刻胶核心技术的平台启动了。
来自无锡政府网站的消息，9月4日2025集成电路（无锡）创新发展大会开幕。
本次大会上宣布了多个重磅项目，除了算力平台外，还有2个值得关注的——无锡先进制程半导体纳米级光刻胶中试线作为全国首个掌握MOR型光刻胶核心原材料、配方及应用技术的创新平台，其研发生产的光刻胶将对标世界一流水准。
另一个则是江苏（集萃）光刻胶树脂合成中试线是全国唯一采用连续流技术制备光刻胶树脂的研发平台，首创高分子稳定合成的聚合装备与工艺。
其中MOR型光刻胶就是针对EUV时代光刻胶的新技术，它指的是金属氧化物光阻剂，取代了目前DUV光刻胶所用的CAR化学增幅型光阻剂，是提高光刻分辨率、缩小栅极距、降低缺陷率的关键材料之一。
不仅5nm以下的工艺需要先进EUV光刻胶，DRAM内存工艺也会逐渐导入到EUV时代，同样需要EUV光刻胶，NAND闪存暂时还没有需要EUV工艺，但未来一样需要EUV工艺才能进一步提升密度。
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